RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
47
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
28
Velocità di lettura, GB/s
9.3
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
3463
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link