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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
47
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
35
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
3191
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
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