RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
47
Около -34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
35
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
3191
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link