RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3191
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. ZEUS-1600 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link