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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
35
Por volta de 23% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
15.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3191
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
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