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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
78
En 40% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.1
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
78
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
2113
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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