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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
76
En 38% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.3
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.9
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
76
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
1260
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
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