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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
76
Autour de 38% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.3
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.9
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
76
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
1260
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
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Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
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Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
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G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
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