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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
47
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
35
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
2773
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
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Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
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