RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
47
En -114% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
22
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
3110
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link