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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
69
En 42% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
69
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
1602
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
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