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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
40
En -90% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
21
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
4035
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
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