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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
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Especificaciones
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
40
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3011
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
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