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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
40
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3436
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
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Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
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