RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
40
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
20.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3703
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link