RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
40
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2962
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link