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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
40
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2135
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
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