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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
40
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3209
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
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