RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
40
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.1
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
17
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
21.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
19.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3829
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link