RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
41
En 2% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
41
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2044
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link