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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
40
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3007
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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