RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
40
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2404
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link