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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
47
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
47
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3099
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
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Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
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