RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
40
En -3% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
39
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
7.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
1868
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link