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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
40
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2257
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
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