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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
40
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3368
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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