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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
40
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3188
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XRGM6C-MIE 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston KVR24N17S8/4 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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