RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3734
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link