RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
30
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
22
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3117
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link