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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
43
En 30% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
10600
8500
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
30
43
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
10600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
1889
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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