RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
30
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
19
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
17.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3862
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link