RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3860
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link