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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
30
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
22
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2728
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
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