RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
83
En 64% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
83
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
1663
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link