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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En 9% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2930
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
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