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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
30
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3061
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
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