RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3111
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link