RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
69
En 57% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
69
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
1831
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link