RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En 9% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2702
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link