RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3010
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link