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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
74
En 59% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
74
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
1849
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
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