RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
30
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3115
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link