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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3409
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
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