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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3609
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
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