RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
30
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
18
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3431
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link