RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3804
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link