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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
4156
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
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