RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
31
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
31
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3039
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link