RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
77
En 61% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
5.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.1
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
77
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
5.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
1440
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link