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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
38
En 21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.6
10.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
38
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
10.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
1890
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905783-025.A01G 16GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB
A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
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